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Kanzei米国 / HTSUS
HTSコード · 8桁

8542.32.00

2026年 第21次改訂
参考日本語訳

電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > メモリー

Memories

商品説明・参考キーワードについて

日本語は参考訳です。公式訳・分類の確定結果ではありません。分類・条件は併記した英語原文と公式資料をご確認ください。

参考キーワード:半導体関連。検索辞書の対応候補です。正式な分類は英語原文、材質・用途・仕様、公式注記でご確認ください。

第85章:電気機器・録音機・音声再生機・テレビ映像音声機器とその部分品・附属品

関税率表の記載

一般税率(General)
無税Free
特別税率(Special)
記載なし(空欄)
第2欄税率(Column 2)
35%

空欄は0%や免税を意味しません。上位のコードに税率が記載されている場合があります。追加関税や原産国別措置を含む実効税率は表示していません。

階層と商品説明

  1. 8542
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品:

    Electronic integrated circuits; parts thereof:

  2. 参考日本語訳

    電子集積回路:

    Electronic integrated circuits:

  3. 8542.32.00
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > メモリー

    Memories

下位コード(最大100件)

  1. 8542.32.00.02
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > ダイナミック読み書きランダムアクセス(DRAM): > 128メガビット以下

    Not over 128 megabits

  2. 8542.32.00.24
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > ダイナミック読み書きランダムアクセス(DRAM): > 128メガビットを超え256メガビット以下

    Over 128 megabits but not over 256 megabits

  3. 8542.32.00.28
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > ダイナミック読み書きランダムアクセス(DRAM): > 256メガビットを超え512メガビット以下のもの

    Over 256 megabits but not over 512 megabits

  4. 8542.32.00.32
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > ダイナミック読み書きランダムアクセス(DRAM): > 512メガビットを超え1ギガビット以下

    Over 512 megabits but not over 1 gigabit

  5. 8542.32.00.36
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > ダイナミック読み書きランダムアクセス(DRAM): > 1ギガビット超

    Over 1 gigabit

  6. 8542.32.00.41
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > スタティック読み書き用ランダムアクセスメモリ(SRAM)

    Static read-write random access (SRAM)

  7. 8542.32.00.51
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > 電気的消去可能なプログラマブル読出し専用メモリ(EEPROM)

    Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM)

  8. 8542.32.00.61
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子 > 消去可能な(電気的消去を除く)プログラム可能な読取り専用メモリ(EPROM)

    Erasable (except electrically) programmable read-only memory (EPROM)

  9. 8542.32.00.71
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > 記憶素子(メモリー) > その他

    Other

同じ見出しの関連コード

  • 8542.31.00.15
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > プロセッサ及びコントローラ(メモリ、変換器、論理回路、増幅器、クロック及びタイミング回路その他の回路を組み合わせたものであるかないかを問わない。) > コントローラ(マイクロコントローラを含む。): > 8ビット

    8-bit

  • 8542.31.00.20
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > プロセッサ及びコントローラ(メモリ、変換器、論理回路、増幅器、クロック及びタイミング回路その他の回路を組み合わせたものであるかないかを問わない。) > コントローラ(マイクロコントローラを含む。): > 16ビット

    16-bit

  • 8542.31.00.25
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > プロセッサ及びコントローラ(メモリ、変換器、論理回路、増幅器、クロック及びタイミング回路その他の回路を組み合わせたものであるかないかを問わない。) > コントローラ(マイクロコントローラを含む。): > 32ビット

    32-bit

  • 8542.31.00.30
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > プロセッサー及びコントローラー(メモリー、コンバーター、論理回路、増幅器、クロック及びタイミング回路その他の回路を組み合わせたものであるかないかを問わない。) > コントローラー(マイクロコントローラーを含む。): > その他

    Other

  • 8542.31.00.35
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > プロセッサー及びコントローラー(記憶素子、変換器、論理回路、増幅器、クロック及びタイミング回路その他の回路を組み合わせたものであるかないかを問わない。) > プロセッサー(マイクロプロセッサーを含む。): > デジタル信号プロセッサー(DSP)

    Digital signal processors (DSPs)

  • 8542.31.00.40
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > プロセッサー及びコントローラー(メモリー、コンバーター、論理回路、増幅器、クロック及びタイミング回路その他の回路と組み合わせてあるかないかを問わない。) > プロセッサー(マイクロプロセッサーを含む。): > グラフィックスプロセッシングユニット(GPU)

    Graphics processing units (GPUs)

同じ4桁見出しに属するコードです。商品の互換性や分類の一致を示すものではありません。

このコードの変更履歴

  1. 2026-122026-13公開日 2026-07-29
    参考日本語訳

    電子集積回路及びその部分品: > 電子集積回路: > メモリー

    Memories

    注記・その他属性の記載変更

    変更前 (2026-12)

    公式属性の値を表示
    {
      "superior": null,
      "footnotes": [
        {
          "type": "endnote",
          "value": "See 9903.91.05. ",
          "columns": [
            "general"
          ]
        }
      ],
      "quotaQuantity": null,
      "additionalDuties": null,
      "addiitionalDuties": null
    }

    変更後 (2026-13)

    公式属性の値を表示
    {
      "superior": null,
      "footnotes": [],
      "quotaQuantity": null,
      "additionalDuties": null,
      "addiitionalDuties": null
    }
データ出典:U.S. International Trade Commission ↗(新しいタブ)