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2025-152025-14と比較公開日 このページ 5件
  1. 8541.60.00.10変更商品説明の記載変更32.768キロヘルツ
    8541.60.00.10変更
    2025-142025-15公開日 2025-06-20
    参考日本語訳

    32.768キロヘルツ

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-14)

    <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-15)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    32.768 kHz
  2. 8541.60.00.20変更商品説明の記載変更1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く
    8541.60.00.20変更
    2025-142025-15公開日 2025-06-20
    参考日本語訳

    1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-14)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-15)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  3. 8541.60.00.30変更商品説明の記載変更1 MHzを超え、5 MHz以下
    8541.60.00.30変更
    2025-142025-15公開日 2025-06-20
    参考日本語訳

    1 MHzを超え、5 MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-14)

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>

    変更後 (2025-15)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    変更後
    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
  4. 8541.60.00.50変更商品説明の記載変更5MHzを超え20MHz以下
    8541.60.00.50変更
    2025-142025-15公開日 2025-06-20
    参考日本語訳

    5MHzを超え20MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-14)

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>

    変更後 (2025-15)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    変更後
    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
  5. 8541.60.00.60変更商品説明の記載変更20MHzを超えるもの
    8541.60.00.60変更
    2025-142025-15公開日 2025-06-20
    参考日本語訳

    20MHzを超えるもの

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-14)

    Exceeding <il>20 MHZ</il>

    変更後 (2025-15)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>20 MHZ</il>
    変更後
    Exceeding 20 MHZ
2025-142025-13と比較公開日 このページ 5件
  1. 8541.60.00.10変更商品説明の記載変更<il>32.768 kHz</il>
    8541.60.00.10変更
    2025-132025-14公開日 2025-06-06

    日本語参考訳は未収録です

    <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-13)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

    変更後 (2025-14)

    <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    32.768 kHz
    変更後
    <il>32.768 kHz</il>
  2. 8541.60.00.20変更商品説明の記載変更Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    8541.60.00.20変更
    2025-132025-14公開日 2025-06-06

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-13)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-14)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
  3. 8541.60.00.30変更商品説明の記載変更Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    8541.60.00.30変更
    2025-132025-14公開日 2025-06-06

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-13)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

    変更後 (2025-14)

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
    変更後
    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
  4. 8541.60.00.50変更商品説明の記載変更Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    8541.60.00.50変更
    2025-132025-14公開日 2025-06-06

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-13)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

    変更後 (2025-14)

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
    変更後
    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
  5. 8541.60.00.60変更商品説明の記載変更Exceeding <il>20 MHZ</il>
    8541.60.00.60変更
    2025-132025-14公開日 2025-06-06

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>20 MHZ</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-13)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

    変更後 (2025-14)

    Exceeding <il>20 MHZ</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 20 MHZ
    変更後
    Exceeding <il>20 MHZ</il>
2025-112025-10と比較公開日 このページ 5件
  1. 8541.60.00.10変更商品説明の記載変更32.768キロヘルツ
    8541.60.00.10変更
    2025-102025-11公開日 2025-05-02
    参考日本語訳

    32.768キロヘルツ

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-10)

    <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-11)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    32.768 kHz
  2. 8541.60.00.20変更商品説明の記載変更1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く
    8541.60.00.20変更
    2025-102025-11公開日 2025-05-02
    参考日本語訳

    1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-10)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-11)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  3. 8541.60.00.30変更商品説明の記載変更1 MHzを超え、5 MHz以下
    8541.60.00.30変更
    2025-102025-11公開日 2025-05-02
    参考日本語訳

    1 MHzを超え、5 MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-10)

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>

    変更後 (2025-11)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    変更後
    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
  4. 8541.60.00.50変更商品説明の記載変更5MHzを超え20MHz以下
    8541.60.00.50変更
    2025-102025-11公開日 2025-05-02
    参考日本語訳

    5MHzを超え20MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-10)

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>

    変更後 (2025-11)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    変更後
    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
  5. 8541.60.00.60変更商品説明の記載変更20MHzを超えるもの
    8541.60.00.60変更
    2025-102025-11公開日 2025-05-02
    参考日本語訳

    20MHzを超えるもの

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-10)

    Exceeding <il>20 MHZ</il>

    変更後 (2025-11)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>20 MHZ</il>
    変更後
    Exceeding 20 MHZ
2025-102025-9と比較公開日 このページ 5件
  1. 8541.60.00.10変更商品説明の記載変更<il>32.768 kHz</il>
    8541.60.00.10変更
    2025-92025-10公開日 2025-04-15

    日本語参考訳は未収録です

    <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-9)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

    変更後 (2025-10)

    <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    32.768 kHz
    変更後
    <il>32.768 kHz</il>
  2. 8541.60.00.20変更商品説明の記載変更Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    8541.60.00.20変更
    2025-92025-10公開日 2025-04-15

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-9)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-10)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
  3. 8541.60.00.30変更商品説明の記載変更Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    8541.60.00.30変更
    2025-92025-10公開日 2025-04-15

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-9)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

    変更後 (2025-10)

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
    変更後
    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
  4. 8541.60.00.50変更商品説明の記載変更Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    8541.60.00.50変更
    2025-92025-10公開日 2025-04-15

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-9)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

    変更後 (2025-10)

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
    変更後
    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
  5. 8541.60.00.60変更商品説明の記載変更Exceeding <il>20 MHZ</il>
    8541.60.00.60変更
    2025-92025-10公開日 2025-04-15

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>20 MHZ</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-9)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

    変更後 (2025-10)

    Exceeding <il>20 MHZ</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 20 MHZ
    変更後
    Exceeding <il>20 MHZ</il>
2025-72025-6と比較公開日 このページ 5件
  1. 8541.60.00.10変更商品説明の記載変更32.768キロヘルツ
    8541.60.00.10変更
    2025-62025-7公開日 2025-04-04
    参考日本語訳

    32.768キロヘルツ

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-6)

    <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-7)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    32.768 kHz
  2. 8541.60.00.20変更商品説明の記載変更1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く
    8541.60.00.20変更
    2025-62025-7公開日 2025-04-04
    参考日本語訳

    1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-6)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-7)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  3. 8541.60.00.30変更商品説明の記載変更1 MHzを超え、5 MHz以下
    8541.60.00.30変更
    2025-62025-7公開日 2025-04-04
    参考日本語訳

    1 MHzを超え、5 MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-6)

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>

    変更後 (2025-7)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    変更後
    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
  4. 8541.60.00.50変更商品説明の記載変更5MHzを超え20MHz以下
    8541.60.00.50変更
    2025-62025-7公開日 2025-04-04
    参考日本語訳

    5MHzを超え20MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-6)

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>

    変更後 (2025-7)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    変更後
    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
  5. 8541.60.00.60変更商品説明の記載変更20MHzを超えるもの
    8541.60.00.60変更
    2025-62025-7公開日 2025-04-04
    参考日本語訳

    20MHzを超えるもの

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-6)

    Exceeding <il>20 MHZ</il>

    変更後 (2025-7)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding <il>20 MHZ</il>
    変更後
    Exceeding 20 MHZ
2025-62025-5と比較公開日 このページ 5件
  1. 8541.60.00.10変更商品説明の記載変更<il>32.768 kHz</il>
    8541.60.00.10変更
    2025-52025-6公開日 2025-04-03

    日本語参考訳は未収録です

    <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-5)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

    変更後 (2025-6)

    <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    32.768 kHz
    変更後
    <il>32.768 kHz</il>
  2. 8541.60.00.20変更商品説明の記載変更Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    8541.60.00.20変更
    2025-52025-6公開日 2025-04-03

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-5)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-6)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
  3. 8541.60.00.30変更商品説明の記載変更Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    8541.60.00.30変更
    2025-52025-6公開日 2025-04-03

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-5)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

    変更後 (2025-6)

    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ
    変更後
    Exceeding <il>1 MHz</il>, but not exceeding <il>5 MHZ</il>
  4. 8541.60.00.50変更商品説明の記載変更Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    8541.60.00.50変更
    2025-52025-6公開日 2025-04-03

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-5)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

    変更後 (2025-6)

    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz
    変更後
    Exceeding <il>5 MHZ</il>, but not exceeding <il>20 MHz</il>
  5. 8541.60.00.60変更商品説明の記載変更Exceeding <il>20 MHZ</il>
    8541.60.00.60変更
    2025-52025-6公開日 2025-04-03

    日本語参考訳は未収録です

    Exceeding <il>20 MHZ</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-5)

    参考日本語訳
    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

    変更後 (2025-6)

    Exceeding <il>20 MHZ</il>
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Exceeding 20 MHZ
    変更後
    Exceeding <il>20 MHZ</il>

公式原文の比較です。税率や適用対象の判断は公式資料をご確認ください。

取得済みの改訂版を順に比較した変更点を表示しています。間の改訂版を取得していない場合は、複数の改訂にまたがる変更をまとめて表示します。各行の「変更前 → 変更後」の版を確認してください。

データ出典：U.S. International Trade Commission（新しいタブ）