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Kanzei米国 / HTSUS
HTSコード · 10桁

8541.60.00.20

2026年 第21次改訂
参考日本語訳(AI生成)

半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

商品説明・参考キーワードについて

日本語は参考訳(AI生成)です。公式訳・分類の確定結果ではありません。分類・条件は併記した英語原文と公式資料をご確認ください。

参考キーワード:半導体関連。検索辞書の対応候補です。正式な分類は英語原文、材質・用途・仕様、公式注記でご確認ください。

第85章:電気機器・録音機・音声再生機・テレビ映像音声機器とその部分品・附属品

関税率表の記載

一般税率(General)
記載なし(空欄)
特別税率(Special)
記載なし(空欄)
第2欄税率(Column 2)
記載なし(空欄)

空欄は0%や免税を意味しません。上位のコードに税率が記載されている場合があります。追加関税や原産国別措置を含む実効税率は表示していません。

階層と商品説明

  1. 8541
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器)、感光性半導体デバイス(モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない光電池を含む。)、発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。)、取り付けた圧電結晶及びこれらの部分品:

    Semiconductor devices (for example, diodes, transistors, semiconductor-based transducers); photosensitive semiconductor devices, including photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels; light-emitting diodes (LED), whether or not assembled with other light-emitting diodes (LED); mounted piezo-electric crystals; parts thereof:

  2. 8541.60.00
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー)、感光性半導体デバイス(太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。)、発光ダイオード(LED)(他の発光ダイオード(LED)と組み立ててあるかを問わない。)、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 > マウントした圧電結晶

    Mounted piezoelectric crystals

  3. 参考日本語訳(AI生成)

    動作周波数が次のように設計された水晶:

    Quartz designed for operating frequencies of:

  4. 8541.60.00.20
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

上位コードの税率記載

上位コード一般税率(General)特別税率(Special)第2欄税率(Column 2)
8541.60.00無税Free空欄35%

同じ見出しの関連コード

  • 8541.10.00.40
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器)、感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか又はパネルにしてあるかないかを問わない。)、発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。)、取り付けた圧電結晶及びこれらの部分品のうち、感光性又は発光ダイオード(LED)以外のダイオードで、取り付けていないチップ、ダイス及びウェハー

    Unmounted chips, dice and wafers

  • 8541.10.00.50
    参考日本語訳(AI生成)

    ツェナーダイオード(感光性ダイオード及び発光ダイオード(LED)を除くダイオードのその他区分)

    Zener

  • 8541.10.00.60
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスター、半導体ベースの変換器)。感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。)。発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。)。取り付けた圧電結晶。部分品。のうち、ダイオード(感光性又は発光ダイオード(LED)を除く。)で、その他のもの(マイクロ波用)

    Microwave

  • 8541.10.00.70
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器)、光感応性半導体デバイス(光電池を含む、モジュールに組み立ててあるかないか又はパネルにしてあるかないかを問わない。)、発光ダイオード(LED、他の発光ダイオードと組み立ててあるかないかを問わない。)、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品のうち、光感応性又は発光ダイオード(LED)以外のダイオードで、その他のもの(最大電流が0.5 A以下のもの)

    With a maximum current of 0.5 A or less

  • 8541.10.00.80
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器)、感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。)、発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み立ててあるかないかを問わない。)、取り付けた圧電結晶及びこれらの部分品: > ダイオード(感光性のもの及び発光ダイオード(LED)を除く。) > その他 > その他 > その他

    Other

  • 8541.21.00.40
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器)、感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。)、発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み立ててあるかないかを問わない。)、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品: > トランジスタ(感光性トランジスタを除く。): > 消費電力が1W未満のもの > 未実装のチップ、ダイス及びウェハ

    Unmounted chips, dice and wafers

同じ4桁見出しに属するコードです。商品の互換性や分類の一致を示すものではありません。

このコードの変更履歴

  1. 2025-142025-15公開日 2025-06-20
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-14)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-15)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    強調なしの原文を確認
    変更前
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  2. 2025-132025-14公開日 2025-06-06

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-13)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-14)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    強調なしの原文を確認
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    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
  3. 2025-102025-11公開日 2025-05-02
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

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    変更前 (2025-10)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-11)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
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    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
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    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  4. 2025-92025-10公開日 2025-04-15

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

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    変更前 (2025-9)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-10)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
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    変更前
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
  5. 2025-62025-7公開日 2025-04-04
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    商品説明の記載変更

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    変更前 (2025-6)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-7)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
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    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  6. 2025-52025-6公開日 2025-04-03

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

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    変更前 (2025-5)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-6)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
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    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
  7. 2025-42025-5公開日 2025-03-14
    参考日本語訳(AI生成)

    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

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    変更前 (2025-4)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    変更後 (2025-5)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
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    変更前
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
    変更後
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
  8. 2025-32025-4公開日 2025-03-11

    日本語参考訳は未収録です

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>

    商品説明の記載変更

    削除追加原文の変更箇所

    変更前 (2025-3)

    参考日本語訳(AI生成)
    半導体デバイス(例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器);感光性半導体デバイス(光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。);発光ダイオード(LED、他の発光ダイオード(LED)と組み合わせてあるかないかを問わない。);取り付けられた圧電結晶;部分品: > 取り付けられた圧電結晶 > 動作周波数が次のように設計された水晶: > 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

    変更後 (2025-4)

    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
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    変更前
    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz
    変更後
    Not exceeding <il>1 MHz</il>, except <il>32.768 kHz</il>
データ出典:U.S. International Trade Commission ↗(新しいタブ)