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Kanzei米国 / HTSUS
HTSコード · 8桁2026年 第21次改訂

8541.60.00

参考日本語訳

マウントした圧電結晶

Mounted piezoelectric crystals

85電気機器・録音機・音声再生機・テレビ映像音声機器とその部分品・附属品
商品説明・参考キーワードについて

日本語は参考訳です。公式訳・分類の確定結果ではありません。分類・条件は併記した英語原文と公式資料をご確認ください。

分類の条件：半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶

参考キーワード：半導体関連。検索辞書の対応候補です。正式な分類は英語原文、材質・用途・仕様、公式注記でご確認ください。

関税率表の記載

一般税率（General）
無税Free
特別税率（Special）
記載なし（空欄）0%や免税を意味しません
第2欄税率（Column 2）
35%

空欄は0%や免税を意味しません。上位のコードに税率が記載されている場合があります。追加関税や原産国別措置を含む実効税率は表示していません。

階層と商品説明

  1. 項（4桁）8541
    参考日本語訳

    半導体デバイス、感光性半導体デバイス（モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない光電池を含む。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）、取り付けた圧電結晶及びこれらの部分品：

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない光電池を含む。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）、取り付けた圧電結晶及びこれらの部分品：

    Semiconductor devices (for example, diodes, transistors, semiconductor-based transducers); photosensitive semiconductor devices, including photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels; light-emitting diodes (LED), whether or not assembled with other light-emitting diodes (LED); mounted piezo-electric crystals; parts thereof:

  2. このコード8541.60.00
    参考日本語訳

    マウントした圧電結晶

    Mounted piezoelectric crystals

下位コード（最大100件）

  • 8541.60.00.10
    参考日本語訳

    32.768キロヘルツ

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えばダイオード、トランジスター及び半導体を基盤とするトランスデューサー）、感光性半導体デバイス（太陽電池を含み、モジュール又はパネルに組み立ててあるかを問わない。）、発光ダイオード（LED）（他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかを問わない。）、マウントした圧電結晶及びこれらの部分品 ＞ マウントした圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 32.768キロヘルツ

    32.768 kHz

  • 8541.60.00.20
    参考日本語訳

    1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み合わせてあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHz以下、ただし32.768 kHzを除く

    Not exceeding 1 MHz, except 32.768 kHz

  • 8541.60.00.30
    参考日本語訳

    1 MHzを超え、5 MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 1 MHzを超え、5 MHz以下

    Exceeding 1 MHz, but not exceeding 5 MHZ

  • 8541.60.00.50
    参考日本語訳

    5MHzを超え20MHz以下

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けられた圧電結晶；部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 5MHzを超え20MHz以下

    Exceeding 5 MHZ, but not exceeding 20 MHz

  • 8541.60.00.60
    参考日本語訳

    20MHzを超えるもの

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）、発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）、取り付けられた圧電結晶及びこれらの部分品： ＞ 取り付けられた圧電結晶 ＞ 動作周波数が次のように設計された水晶： ＞ 20MHzを超えるもの

    Exceeding 20 MHZ

  • 8541.60.00.80
    参考日本語訳

    その他

    分類の条件を見る

    半導体デバイス（例えば、ダイオード、トランジスタ、半導体ベースの変換器）；感光性半導体デバイス（光電池を含み、モジュールに組み立ててあるかないか、又はパネルにしてあるかないかを問わない。）；発光ダイオード（LED、他の発光ダイオード（LED）と組み立ててあるかないかを問わない。）；取り付けた圧電結晶；これらの部分品： ＞ 取り付けた圧電結晶 ＞ その他

    Other

このコードの変更履歴

1 件 · 公式データの記載変更

  1. 2026-07-292026-12 → 2026-13注記・その他属性の記載変更
    8541.60.00変更
    2026-122026-13公開日 2026-07-29

    注記・その他属性の記載変更

    変更前 (2026-12)

    公式属性の値を表示
    {
  "superior": null,
  "footnotes": [
    {
      "type": "endnote",
      "value": "See 9903.88.01.",
      "columns": [
        "general"
      ]
    }
  ],
  "quotaQuantity": null,
  "additionalDuties": null,
  "addiitionalDuties": null
}

    変更後 (2026-13)

    公式属性の値を表示
    {
  "superior": null,
  "footnotes": [],
  "quotaQuantity": null,
  "additionalDuties": null,
  "addiitionalDuties": null
}
データ出典：U.S. International Trade Commission（新しいタブ）